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元件参数资料
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参数目录43322
> BSO083N03MS G MOSFET N-CH 30V 11A DSO-8
型号:
BSO083N03MS G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH 30V 11A DSO-8
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
BSO083N03MS G PDF
产品目录绘图
Mosfets DSO-8
标准包装
2,500
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
11A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
8.3 毫欧 @ 14A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
27nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2100pF @ 15V
功率 - 最大
1.56W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
PG-DSO-8
包装
带卷 (TR)
其它名称
BSO083N03MS G-ND
BSO083N03MS GINTR
SP000446064
查看BSO083N03MS G代理商
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